事件：連城數(shù)控發(fā)布 KX420PV 單晶爐新品，采用 MCCz 單晶生長(zhǎng)技術(shù)，通過(guò)引入磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)更低的氧碳含量、更高的少子壽命。

(資料圖)

投資要點(diǎn)

N 型硅片存在同心圓問(wèn)題，要求更低氧含量：

N 型對(duì)晶體品質(zhì)和氧碳含量要求很高，典型問(wèn)題是由原生氧造成造成的同心圓、黑芯片問(wèn)題，形成原因系高溫的硅溶液在坩堝里進(jìn)行相對(duì)高速的對(duì)流，因?yàn)橥饷鏌嶂虚g冷，底部熱上面冷，硅溶液在坩堝內(nèi)會(huì)形成類(lèi)似“開(kāi)鍋”的現(xiàn)象，造成硅溶液內(nèi)部出現(xiàn)流動(dòng)，不停沖刷石英坩堝，而石英就是二氧化硅，其中含有的氧會(huì)在沖刷過(guò)程中融入硅溶液，造成晶體里含有較多的氧。

而 TOPCon 后續(xù)的高溫工藝（如 B 擴(kuò)散）下，氧非常容易沉淀，形成氧環(huán)即同心圓，影響效率和良率，所以 TOPCon 對(duì)硅片氧含量更敏感；而HJT 為低溫工藝，出現(xiàn)同心圓的概率不高，可以選擇高氧含量的硅片。

增加磁場(chǎng)是有效改善方案之一，目前成本較高：

磁場(chǎng)可以解決這個(gè)問(wèn)題，主要系磁場(chǎng)會(huì)抑制硅溶液的流動(dòng)，使硅溶液變得很粘稠，硅溶液流動(dòng)變慢后，氧含量就會(huì)下降，目前半導(dǎo)體級(jí)的超導(dǎo)磁場(chǎng)約 500 萬(wàn)元+/臺(tái)，光伏級(jí)約 300 萬(wàn)元+/臺(tái)，主要系冷凍機(jī)、超導(dǎo)線材等成本較高，我們預(yù)計(jì)未來(lái)有望降低至 100 萬(wàn)/臺(tái)。

除了磁場(chǎng)方案以外，改變坩堝形狀、減少坩堝旋轉(zhuǎn)、減少晶體旋轉(zhuǎn)等方式也能夠改善同心圓問(wèn)題，但如果改變工藝參數(shù)，對(duì)長(zhǎng)晶影響非常大，而增加磁場(chǎng)對(duì)所有的長(zhǎng)晶環(huán)節(jié)都是有幫助的，唯一的缺點(diǎn)是價(jià)格高。

多家設(shè)備商均積極布局低氧型單晶爐：

（ 1）晶盛機(jī)電： 5 月 22 日（ 今天）新品發(fā)布會(huì)將發(fā)布第五代新品單晶爐。

（ 2）奧特維： 子公司松瓷機(jī)電推出高性?xún)r(jià)比的低氧型單晶爐 SC-1600-LO?，主要通過(guò)熱場(chǎng)工藝模擬、軟控算法增加控氧功能模塊等方式，同等條件下，可實(shí)現(xiàn)氧含量降低 24%以上，同心圓可降低 50%，試驗(yàn)線驗(yàn)證數(shù)據(jù)電池片效率提升 0.1%。

（ 3）連城數(shù)控： 推出 KX420PV 新品單晶爐，采用 MCCz 技術(shù)，通過(guò)外加磁場(chǎng)的引入可有效抑制硅熔體熱對(duì)流，降低氧的形成和傳輸，同時(shí)結(jié)合全新設(shè)計(jì)的氬氣吹掃方案、大尺寸排氣管道及低流阻設(shè)計(jì)，匹配大抽速真空干泵和可升降式加熱器，最大程度帶走氧雜質(zhì)。目前連城數(shù)控已深度掌握磁場(chǎng)模塊（永磁場(chǎng)、勾型磁場(chǎng)及水平磁場(chǎng)、超導(dǎo)磁場(chǎng)）用于光伏單晶生長(zhǎng)的一系列方案。

投資建議： 硅片設(shè)備環(huán)節(jié)推薦晶盛機(jī)電、高測(cè)股份；電池片設(shè)備環(huán)節(jié)推薦邁為股份；組件設(shè)備環(huán)節(jié)推薦奧特維；熱場(chǎng)環(huán)節(jié)推薦金博股份。

風(fēng)險(xiǎn)提示： 下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期，研發(fā)不及預(yù)期。

關(guān)鍵詞：